IXTT6N120 - аналоги и даташиты транзистора

 

IXTT6N120 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IXTT6N120
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 850 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm
   Тип корпуса: TO268
 

 Аналог (замена) для IXTT6N120

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTT6N120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:588K  ixys
 ixth6n120 ixtt6n120.pdf pdf_icon

IXTT6N120

IXTH 6N120 VDSS = 1200 VHigh VoltageIXTT 6N120 ID25 = 6 APower MOSFET RDS(on) = 2.6 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedPreliminary Data SheetTO-247 AD (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 1200 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1200 VVGS Continuous 20 V(TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C6 A

 7.1. Size:128K  ixys
 ixtt6n150.pdf pdf_icon

IXTT6N120

High Voltage VDSS = 1500VIXTT6N150ID25 = 6APower MOSFETsIXTH6N150 RDS(on) 3.5 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-268 (IXTT)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsSVDSS TJ = 25C to 150C 1500 VD (Tab)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1500 VVGSS Continuous 20 VTO-247 (IXTH)VGSM Transient

 9.1. Size:169K  ixys
 ixtq69n30p ixtt69n30p.pdf pdf_icon

IXTT6N120

IXTQ69N30P VDSS = 300 VPolarHTTMIXTT69N30P ID25 = 69 APower MOSFET RDS(on) 49 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-3P (IXTQ)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 300 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 300 VVGSS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VGDID25 TC = 25 C69 A(TAB)

 9.2. Size:171K  ixys
 ixtq64n25p ixtt64n25p.pdf pdf_icon

IXTT6N120

VDSS = 250 VIXTQ 64N25PPolarHTTMID25 = 64 AIXTT 64N25PPower MOSFET RDS(on) 49 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-3P (IXTQ)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 250 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 250 VVGSS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VGDID25 TC = 25 C64 A(TAB

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXTT50P085 , IXTT50P10 , IXTT52N30P , IXTT60N10 , IXTT60N20L2 , IXTT64N25P , IXTT68P20T , IXTT69N30P , 4435 , IXTT72N10 , IXTT72N20 , IXTT74N20P , IXTT75N10 , IXTT75N10L2 , IXTT75N15 , IXTT80N20L , IXTT82N25P .

History: SUD50P08-25L | CES2314

 

 
Back to Top

 


 
.