Справочник MOSFET. IXTT74N20P

 

IXTT74N20P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTT74N20P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 480 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 74 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 160 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm
   Тип корпуса: TO268
 

 Аналог (замена) для IXTT74N20P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTT74N20P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:170K  ixys
 ixtq74n20p ixtt74n20p.pdf pdf_icon

IXTT74N20P

IXTQ 74N20P VDSS = 200 VPolarHTTMIXTT 74N20P ID25 = 74 APower MOSFET RDS(on) 34 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-3P (IXTQ)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 175 C 200 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 200 VVGSS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VGDID25 TC = 25 C74 A(TAB

 9.1. Size:579K  ixys
 ixth67n10 ixtm67n10 ixth75n10 ixtm75n10 ixtt75n10.pdf pdf_icon

IXTT74N20P

VDSS ID25 RDS(on)MegaMOSTMFETIXTH / IXTM 67N10100 V 67 A 25 mIXTH / IXTM 75N10100 V 75 A 20 mIXTT 75N10N-Channel Enhancement ModeTO-247 AD (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum Ratings(TAB)VDSS TJ = 25C to 150C 100 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 100 VTO-204 AE (IXTM)VGS Continuous 20 VVGSM Transient 30

 9.2. Size:112K  ixys
 ixtt72n10 ixth72n10.pdf pdf_icon

IXTT74N20P

Advance Technical InformationIXTH 72N20 VDSS = 200 VHigh CurrentIXTT 72N20 ID25 = 72 APower MOSFET RDS(on) = 33 mN-Channel Enhancement ModeTO-247 AD (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 200 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 200 VVGS Continuous 20 V(TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C72 AIDM TC =

 9.3. Size:583K  ixys
 ixth75n15 ixtt75n15.pdf pdf_icon

IXTT74N20P

IXTH 75N15 VDSS = 150 VHigh CurrentIXTT 75N15 ID25 = 75 APower MOSFET RDS(on) = 23 mN-Channel Enhancement ModeTO-247 AD (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 150 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 150 VVGS Continuous 20 V(TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C75 AIDM TC = 25C, pulse width limited by T

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXTT60N10 , IXTT60N20L2 , IXTT64N25P , IXTT68P20T , IXTT69N30P , IXTT6N120 , IXTT72N10 , IXTT72N20 , IRLZ44N , IXTT75N10 , IXTT75N10L2 , IXTT75N15 , IXTT80N20L , IXTT82N25P , IXTT88N15 , IXTT88N30P , IXTT8P50 .

History: MDP12N50TH | HAT2132H | IPD50N03S2-07 | AFN1330S | SLF12N65C | FMV10N60E | PN4119

 

 
Back to Top

 


 
.