Справочник MOSFET. IXTV02N250S

 

IXTV02N250S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTV02N250S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 2500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 1500 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 450 Ohm
   Тип корпуса: PLUS220SMD
 

 Аналог (замена) для IXTV02N250S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTV02N250S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:194K  ixys
 ixth02n250 ixtv02n250s.pdf pdf_icon

IXTV02N250S

High VoltageIXTH02N250VDSS = 2500VPower MOSFETsID25 = 200mA IXTV02N250S RDS(on) 450 N-Channel Enhancement ModeFast Intrinsic DiodeTO-247 (IXTH)GD D (Tab)SSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 2500 VPLUS220SMD (IXTV_S)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 2500 VVGSS Continuous 20 VVGSM Transient

 9.1. Size:186K  ixys
 ixth03n400 ixtv03n400s.pdf pdf_icon

IXTV02N250S

Advance Technical InformationHigh Voltage VDSS = 4000VIXTH03N400ID25 = 300mAPower MOSFET IXTV03N400S RDS(on) 290 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-247 (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 4000 VDD (Tab)SVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 4000 VVGSS Continuous 20 VVGSM Transie

Другие MOSFET... IXTU02N50D , IXTU05N100 , IXTU12N06T , IXTU1N80P , IXTU1R4N60P , IXTU2N80P , IXTU4N60P , IXTU5N50P , CS150N03A8 , IXTV03N400S , IXTV102N20T , IXTV110N25TS , IXTV18N60P , IXTV18N60PS , IXTV200N10T , IXTV200N10TS , IXTV22N50P .

History: FXN28N50P

 

 
Back to Top

 


 
.