IXTV102N20T - аналоги и даташиты транзистора

 

IXTV102N20T - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IXTV102N20T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 750 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 102 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: PLUS220
 

 Аналог (замена) для IXTV102N20T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTV102N20T Datasheet (PDF)

 9.1. Size:171K  ixys
 ixtq18n60p ixtv18n60p.pdf pdf_icon

IXTV102N20T

IXTQ 18N60P VDSS = 600 VPolarHVTMIXTV 18N60P ID25 = 18 APower MOSFET IXTV 18N60PS RDS(on) 420 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-3P (IXTQ)VDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 600 VVGS Continuous 30 VGVGSM Tranisent 40 VD (TAB)DSID25 TC = 25

Другие MOSFET... IXTU12N06T , IXTU1N80P , IXTU1R4N60P , IXTU2N80P , IXTU4N60P , IXTU5N50P , IXTV02N250S , IXTV03N400S , IRF2807 , IXTV110N25TS , IXTV18N60P , IXTV18N60PS , IXTV200N10T , IXTV200N10TS , IXTV22N50P , IXTV22N50PS , IXTV22N60P .

 

 
Back to Top

 


 
.