IXTV102N20T - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IXTV102N20T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 750 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 102 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
Тип корпуса: PLUS220
Аналог (замена) для IXTV102N20T
IXTV102N20T Datasheet (PDF)
ixtq18n60p ixtv18n60p.pdf
IXTQ 18N60P VDSS = 600 VPolarHVTMIXTV 18N60P ID25 = 18 APower MOSFET IXTV 18N60PS RDS(on) 420 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-3P (IXTQ)VDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 600 VVGS Continuous 30 VGVGSM Tranisent 40 VD (TAB)DSID25 TC = 25
Другие MOSFET... IXTU12N06T , IXTU1N80P , IXTU1R4N60P , IXTU2N80P , IXTU4N60P , IXTU5N50P , IXTV02N250S , IXTV03N400S , STF13NM60N , IXTV110N25TS , IXTV18N60P , IXTV18N60PS , IXTV200N10T , IXTV200N10TS , IXTV22N50P , IXTV22N50PS , IXTV22N60P .
History: SIHFP048R | IXTA12N65X2 | SIHFP054
History: SIHFP048R | IXTA12N65X2 | SIHFP054
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP18P30Q | AP180N03G | AP1606 | AP1605 | AP15N10K | AP150N03Q | AP150N03G | AP1310K | AP1310 | AP12N10S | AP120N04K | AP120N03 | AP1002 | AP0903GD | AP0903G | AGM601LL
Popular searches
b560 transistor | 2sc632a | c3856 | 30100 transistor | 2sc1675 | k117 transistor | 2sc2291 | bc139


