Справочник MOSFET. IXTV102N20T

 

IXTV102N20T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTV102N20T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 750 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 102 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 114 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: PLUS220
 

 Аналог (замена) для IXTV102N20T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTV102N20T Datasheet (PDF)

 9.1. Size:171K  ixys
 ixtq18n60p ixtv18n60p.pdf pdf_icon

IXTV102N20T

IXTQ 18N60P VDSS = 600 VPolarHVTMIXTV 18N60P ID25 = 18 APower MOSFET IXTV 18N60PS RDS(on) 420 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-3P (IXTQ)VDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 600 VVGS Continuous 30 VGVGSM Tranisent 40 VD (TAB)DSID25 TC = 25

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.