IXTV110N25TS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTV110N25TS  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 694 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 170 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm

Тип корпуса: PLUS220SMD

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXTV110N25TS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTV110N25TS даташит

 9.1. Size:171K  ixys
 ixtq18n60p ixtv18n60p.pdf pdf_icon

IXTV110N25TS

Другие IGBT... IXTU1N80P, IXTU1R4N60P, IXTU2N80P, IXTU4N60P, IXTU5N50P, IXTV02N250S, IXTV03N400S, IXTV102N20T, IRFZ24N, IXTV18N60P, IXTV18N60PS, IXTV200N10T, IXTV200N10TS, IXTV22N50P, IXTV22N50PS, IXTV22N60P, IXTV22N60PS