IXTX24N100 - аналоги и даташиты транзистора

 

IXTX24N100 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IXTX24N100
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 568 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 850 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: PLUS247
 

 Аналог (замена) для IXTX24N100

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTX24N100 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:129K  ixys
 ixtk20n150 ixtx20n150.pdf pdf_icon

IXTX24N100

High Voltage PowerVDSS = 1500VIXTK20N150MOSFETs w/ ExtendedID25 = 20AIXTX20N150FBSOARDS(on)

 9.2. Size:179K  ixys
 ixtk210p10t ixtx210p10t.pdf pdf_icon

IXTX24N100

Advance Technical InformationTrenchPTM VDSS = - 100VIXTK210P10TPower MOSFETs ID25 = - 210AIXTX210P10T RDS(on) 7.5m trr 200nsP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierTO-264 (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C -100 V DSVDGR TJ = 25C to 150C, RGS

 9.3. Size:260K  inchange semiconductor
 ixtx200n10l2.pdf pdf_icon

IXTX24N100

isc N-Channel MOSFET Transistor IXTX200N10L2FEATURESWith TO-247 packagingWith low gate drive requirementsEasy to drive100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 100 VDSSV

Другие MOSFET... IXTV86N25T , IXTV96N25T , IXTX110N20L2 , IXTX170P10P , IXTX17N120L , IXTX200N10L2 , IXTX20N140 , IXTX22N100L , IRFP460 , IXTX32P60P , IXTX40P50P , IXTX46N50L , IXTX550N055T2 , IXTX5N250 , IXTX600N04T2 , IXTX60N50L2 , IXTX8N150L .

 

 
Back to Top

 


 
.