Справочник MOSFET. IXTX40P50P

 

IXTX40P50P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTX40P50P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 890 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 477 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm
   Тип корпуса: PLUS247
 

 Аналог (замена) для IXTX40P50P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTX40P50P Datasheet (PDF)

 9.1. Size:117K  ixys
 ixtk46n50l ixtx46n50l.pdf pdf_icon

IXTX40P50P

Preliminary Technical InformationIXTK46N50L VDSS = 500 VLinear Power MOSFETIXTX46N50L ID25 = 46 AWith Extended FBSOA RDS(on) 0.16 N-Channel Enhancement ModeTO-264 (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 500 VGDVGS Continuous 30 VS(TAB)VGSM Transient

Другие MOSFET... IXTX110N20L2 , IXTX170P10P , IXTX17N120L , IXTX200N10L2 , IXTX20N140 , IXTX22N100L , IXTX24N100 , IXTX32P60P , IRFP460 , IXTX46N50L , IXTX550N055T2 , IXTX5N250 , IXTX600N04T2 , IXTX60N50L2 , IXTX8N150L , IXTX90N25L2 , IXTX90P20P .

History: CEP85N75 | FTK2102 | SSM6P36FE

 

 
Back to Top

 


 
.