Справочник MOSFET. IXTX600N04T2

 

IXTX600N04T2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTX600N04T2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 600 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0015 Ohm
   Тип корпуса: PLUS247
 

 Аналог (замена) для IXTX600N04T2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTX600N04T2 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:221K  inchange semiconductor
 ixtx60n50l2.pdf pdf_icon

IXTX600N04T2

isc N-Channel MOSFET Transistor IXTX60N50L2FEATURESWith TO-247 packagingWith low gate drive requirementsEasy to drive100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 500 VDSSV G

Другие MOSFET... IXTX20N140 , IXTX22N100L , IXTX24N100 , IXTX32P60P , IXTX40P50P , IXTX46N50L , IXTX550N055T2 , IXTX5N250 , IRF630 , IXTX60N50L2 , IXTX8N150L , IXTX90N25L2 , IXTX90P20P , IXTY01N100 , IXTY01N100D , IXTY01N80 , IXTY02N120P .

History: IXFH21N50F | SUP18N15-95 | SDF10N60

 

 
Back to Top

 


 
.