Справочник MOSFET. IXTY02N120P

 

IXTY02N120P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTY02N120P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 1600 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 75 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для IXTY02N120P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTY02N120P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:123K  ixys
ixty02n120p ixtp02n120p.pdfpdf_icon

IXTY02N120P

Advance Technical InformationPolarTM VDSS = 1200VIXTP02N120PID25 = 0.2APower MOSFETIXTY02N120P RDS(on) 75 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-220 (IXTP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGDD (Tab)SVDSS TJ = 25C to 150C 1200 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1200 VTO-252 (IXTY)VGSS Continuous 20 VVGSM

 7.1. Size:94K  ixys
ixtp02n50d ixtu02n50d ixty02n50d.pdfpdf_icon

IXTY02N120P

IXTP 02N50DVDSS = 500 VHigh Voltage MOSFETIXTU 02N50DID25 = 200 mAN-Channel, Depletion ModeIXTY 02N50DRDS(on) = 30 Preliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220 (IXTP)VDSX TJ = 25C to 150C 500 VVDGX TJ = 25C to 150C 500 VVGS Continuous 20 VD (TAB)VGSM Transient 30 VGDSIDSS TC = 25C; TJ = 25C to 150C

 9.1. Size:177K  ixys
ixty08n100d2-ixta08n100d2-ixtp08n100d2.pdfpdf_icon

IXTY02N120P

Preliminary Technical InformationDepletion Mode VDSX = 1000VIXTY08N100D2MOSFET ID(on) > 800mAIXTA08N100D2 RDS(on) 21 IXTP08N100D2N-ChannelTO-252 (IXTY)GSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 AA (IXTA)VDSX TJ = 25C to 150C 1000 VVGSX Continuous 20 VVGSM Transient 30 VGSPD TC = 25C60 WD (Tab)TJ -

 9.2. Size:270K  ixys
ixty08n100d2 ixta08n100d2 ixtp08n100d2.pdfpdf_icon

IXTY02N120P

Depletion Mode VDSX = 1000VIXTY08N100D2MOSFET ID(on) > 800mAIXTA08N100D2 RDS(on) 21 IXTP08N100D2N-ChannelDTO-252 (IXTY)GSGD (Tab)STO-263 AA (IXTA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSX TJ = 25C to 150C 1000 VSD (Tab)VGSX Continuous 20 VVGSM Transient 30 VTO-220AB (IXTP)PD TC = 25C60 WTJ

Другие MOSFET... IXTX600N04T2 , IXTX60N50L2 , IXTX8N150L , IXTX90N25L2 , IXTX90P20P , IXTY01N100 , IXTY01N100D , IXTY01N80 , IRF9540 , IXTY02N50D , IXTY05N100 , IXTY08N100D2 , IXTY08N100P , IXTY08N50D2 , IXTY10P15T , IXTY12N06T , IXTY15P15T .

History: 40N06 | FTK7N65F | HUFA76429P3 | AOB266L | AOC2414 | PZD502CYB | STP10NK70ZFP

 

 
Back to Top

 


 
.