IXTY26P10T - описание и поиск аналогов

 

Аналоги IXTY26P10T. Основные параметры


   Наименование производителя: IXTY26P10T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для IXTY26P10T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTY26P10T даташит

 9.1. Size:90K  ixys
 ixtp2r4n50p ixty2r4n50p.pdf pdf_icon

IXTY26P10T

IXTP 2R4N50P VDSS = 500 V PolarHVTM IXTY 2R4N50P ID25 = 2.4 A Power MOSFET RDS(on) 3.75 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 (IXTP) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V VGSM Transient 40 V (TAB) G VGSM Continuous 30 V D S ID25 TC = 25 C 2.4 A

 9.2. Size:183K  ixys
 ixtp2n65x2 ixty2n65x2.pdf pdf_icon

IXTY26P10T

Preliminary Technical Information X2-Class VDSS = 650V IXTY2N65X2 Power MOSFET ID25 = 2A IXTP2N65X2 RDS(on) 2.3 N-Channel Enhancement Mode TO-252 (IXTY) G S Symbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab) VDSS TJ = 25 C to 150 C 650 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 650 V TO-220 (IXTP) VGSS Continuous 30 V VGSM Transient

Другие MOSFET... IXTY1N100P , IXTY1N80 , IXTY1N80P , IXTY1R4N100P , IXTY1R4N60P , IXTY1R6N100D2 , IXTY1R6N50D2 , IXTY1R6N50P , SPP20N60C3 , IXTY2N100P , IXTY2N60P , IXTY2N80P , IXTY2R4N50P , IXTY32P05T , IXTY3N50P , IXTY3N60P , IXTY44N10T .

History: IRFB3306

 

 
Back to Top

 


 
.