Справочник MOSFET. IXTY2N100P

 

IXTY2N100P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTY2N100P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 86 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 800 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7.5 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTY2N100P Datasheet (PDF)

 8.1. Size:183K  ixys
 ixtp2n65x2 ixty2n65x2.pdf pdf_icon

IXTY2N100P

Preliminary Technical InformationX2-Class VDSS = 650VIXTY2N65X2Power MOSFET ID25 = 2AIXTP2N65X2 RDS(on) 2.3 N-Channel Enhancement ModeTO-252 (IXTY)G SSymbol Test Conditions Maximum RatingsD (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VTO-220 (IXTP)VGSS Continuous 30 VVGSM Transient

 9.1. Size:90K  ixys
 ixtp2r4n50p ixty2r4n50p.pdf pdf_icon

IXTY2N100P

IXTP 2R4N50P VDSS = 500 VPolarHVTMIXTY 2R4N50P ID25 = 2.4 APower MOSFET RDS(on) 3.75 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 (IXTP)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 500 VVGSM Transient 40 V(TAB)GVGSM Continuous 30 V DSID25 TC = 25C 2.4 A

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IXFN82N60P | IRF7204 | ZXMN2A04DN8 | FQI15P12TU | WMB115N15HG4 | MTDK3S6R | SSM3K15AMFV

 

 
Back to Top

 


 
.