Справочник MOSFET. IXTY2R4N50P

 

IXTY2R4N50P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXTY2R4N50P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 400 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.75 Ohm
   Тип корпуса: TO252AA

 Аналог (замена) для IXTY2R4N50P

 

 

IXTY2R4N50P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:90K  ixys
 ixtp2r4n50p ixty2r4n50p.pdf

IXTY2R4N50P IXTY2R4N50P

IXTP 2R4N50P VDSS = 500 VPolarHVTMIXTY 2R4N50P ID25 = 2.4 APower MOSFET RDS(on) 3.75 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 (IXTP)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 500 VVGSM Transient 40 V(TAB)GVGSM Continuous 30 V DSID25 TC = 25C 2.4 A

 9.1. Size:183K  ixys
 ixtp2n65x2 ixty2n65x2.pdf

IXTY2R4N50P IXTY2R4N50P

Preliminary Technical InformationX2-Class VDSS = 650VIXTY2N65X2Power MOSFET ID25 = 2AIXTP2N65X2 RDS(on) 2.3 N-Channel Enhancement ModeTO-252 (IXTY)G SSymbol Test Conditions Maximum RatingsD (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VTO-220 (IXTP)VGSS Continuous 30 VVGSM Transient

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top