Справочник MOSFET. IXTY3N60P

 

IXTY3N60P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTY3N60P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 500 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.9 Ohm
   Тип корпуса: TO252AA
 

 Аналог (замена) для IXTY3N60P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTY3N60P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:228K  ixys
 ixta3n60p ixtp3n60p ixty3n60p.pdf pdf_icon

IXTY3N60P

IXTA 3N60PVDSS = 600 VPolarHVTMIXTP 3N60PID25 = 3.0 APower MOSFETIXTY 3N60P RDS(on) 2.9 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 600 VVGS Continuous 30 VGSVGSM Transient 40 V(TAB)ID25 T

 8.1. Size:237K  ixys
 ixta3n50p ixtp3n50p ixty3n50p.pdf pdf_icon

IXTY3N60P

IXTA 3N50P VDSS = 500 VPolarHVTMIXTP 3N50P ID25 = 3.6 APower MOSFET IXTY 3N50P RDS(on) 2.0 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220 (IXTP)VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 VVGSS 30 VVGSM 40 V(TAB)GDSID25 TC = 25 C 3.6 AIDM

Другие MOSFET... IXTY1R6N50P , IXTY26P10T , IXTY2N100P , IXTY2N60P , IXTY2N80P , IXTY2R4N50P , IXTY32P05T , IXTY3N50P , IRF530 , IXTY44N10T , IXTY48P05T , IXTY4N60P , IXTY50N085T , IXTY55N075T , IXTY5N50P , IXTY64N055T , IXTZ550N055T2 .

History: STW12N60

 

 
Back to Top

 


 
.