Справочник MOSFET. IXTY55N075T

 

IXTY55N075T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTY55N075T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 33 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0195 Ohm
   Тип корпуса: TO252AA
 

 Аналог (замена) для IXTY55N075T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTY55N075T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:169K  ixys
 ixtp55n075t ixty55n075t.pdf pdf_icon

IXTY55N075T

Preliminary Technical InformationIXTP55N075T VDSS = 75 VTrenchMVTMIXTY55N075T ID25 = 55 APower MOSFET RDS(on) 19.5 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-220 (IXTP)D (TAB)GDSSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-252 (IXTY)VDSS TJ = 25C to 175C75 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 75 VVGSM Transient 20 V

 9.1. Size:171K  ixys
 ixtp50n085t ixty50n085t.pdf pdf_icon

IXTY55N075T

Preliminary Technical InformationIXTP50N085T VDSS = 85 VTrenchMVTMIXTY50N085T ID25 = 50 APower MOSFET RDS(on) 23 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-220 (IXTP)D (TAB)GDSSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-252 (IXTY)VDSS TJ = 25C to 175C85 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 85 VGVGSM Transient 20 V

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , 7N65 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: IXFK38N80Q2

 

 
Back to Top

 


 
.