IXTY55N075T - описание и поиск аналогов

 

IXTY55N075T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXTY55N075T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0195 Ohm

Тип корпуса: TO252AA

Аналог (замена) для IXTY55N075T

- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTY55N075T даташит

 ..1. Size:169K  ixys
 ixtp55n075t ixty55n075t.pdf pdf_icon

IXTY55N075T

Preliminary Technical Information IXTP55N075T VDSS = 75 V TrenchMVTM IXTY55N075T ID25 = 55 A Power MOSFET RDS(on) 19.5 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-220 (IXTP) D (TAB) G D S Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-252 (IXTY) VDSS TJ = 25 C to 175 C75 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 75 V VGSM Transient 20 V

 9.1. Size:171K  ixys
 ixtp50n085t ixty50n085t.pdf pdf_icon

IXTY55N075T

Preliminary Technical Information IXTP50N085T VDSS = 85 V TrenchMVTM IXTY50N085T ID25 = 50 A Power MOSFET RDS(on) 23 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-220 (IXTP) D (TAB) G D S Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-252 (IXTY) VDSS TJ = 25 C to 175 C85 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 85 V G VGSM Transient 20 V

Другие MOSFET... IXTY2R4N50P , IXTY32P05T , IXTY3N50P , IXTY3N60P , IXTY44N10T , IXTY48P05T , IXTY4N60P , IXTY50N085T , NCEP15T14 , IXTY5N50P , IXTY64N055T , IXTZ550N055T2 , IXUC160N075 , IXUV170N075 , IXUV170N075S , LKK47-06C5 , MKE11R600DCGFC .

History: IXFH30N50Q

 

 

 


 
↑ Back to Top
.