Справочник MOSFET. IXTZ550N055T2

 

IXTZ550N055T2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTZ550N055T2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 550 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 595 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.001 Ohm
   Тип корпуса: DE475
 

 Аналог (замена) для IXTZ550N055T2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTZ550N055T2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:205K  ixys
 ixtz550n055t2.pdf pdf_icon

IXTZ550N055T2

Advance Technical InformationTrenchT2TM GigaMOSTMVDSS = 55VIXTZ550N055T2ID25 = 550APower MOSFET RDS(on) 1.0m (Electrically Isolated Tab)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedDE475 DFast Intrinsic DiodeDDSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C 55 VGVDGR TJ = 25C to 175C, RGS = 1M 55 VSVGSS

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: JCS540WT | IRF044

 

 
Back to Top

 


 
.