IXTZ550N055T2 - описание и поиск аналогов

 

IXTZ550N055T2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXTZ550N055T2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 550 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.001 Ohm

Тип корпуса: DE475

Аналог (замена) для IXTZ550N055T2

- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTZ550N055T2 даташит

 ..1. Size:205K  ixys
 ixtz550n055t2.pdf pdf_icon

IXTZ550N055T2

Advance Technical Information TrenchT2TM GigaMOSTM VDSS = 55V IXTZ550N055T2 ID25 = 550A Power MOSFET RDS(on) 1.0m (Electrically Isolated Tab) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated DE475 D Fast Intrinsic Diode D D Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 175 C 55 V G VDGR TJ = 25 C to 175 C, RGS = 1M 55 V S VGSS

Другие MOSFET... IXTY3N60P , IXTY44N10T , IXTY48P05T , IXTY4N60P , IXTY50N085T , IXTY55N075T , IXTY5N50P , IXTY64N055T , IRFP450 , IXUC160N075 , IXUV170N075 , IXUV170N075S , LKK47-06C5 , MKE11R600DCGFC , FCH110N65F , FCP110N65F , MMIX1F520N075T2 .

History: VHM40-06P1

 

 

 


 
↑ Back to Top
.