IXTZ550N055T2 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IXTZ550N055T2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 550 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.001 Ohm
Тип корпуса: DE475
Аналог (замена) для IXTZ550N055T2
IXTZ550N055T2 Datasheet (PDF)
ixtz550n055t2.pdf

Advance Technical InformationTrenchT2TM GigaMOSTMVDSS = 55VIXTZ550N055T2ID25 = 550APower MOSFET RDS(on) 1.0m (Electrically Isolated Tab)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedDE475 DFast Intrinsic DiodeDDSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C 55 VGVDGR TJ = 25C to 175C, RGS = 1M 55 VSVGSS
Другие MOSFET... IXTY3N60P , IXTY44N10T , IXTY48P05T , IXTY4N60P , IXTY50N085T , IXTY55N075T , IXTY5N50P , IXTY64N055T , IRF1407 , IXUC160N075 , IXUV170N075 , IXUV170N075S , LKK47-06C5 , MKE11R600DCGFC , FCH110N65F , FCP110N65F , MMIX1F520N075T2 .
History: JMSL0315AU | JMSL0315AV | STP4NA80FI | STP50N06 | BS170 | SL60N10Q
History: JMSL0315AU | JMSL0315AV | STP4NA80FI | STP50N06 | BS170 | SL60N10Q



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI13N50C | SLH95R130GTZ | SLH65R180E7C | SLH60R075GTDI | SLH60R043E7D | SLH10RN20T | SLF95R760GTZ | SLF16N65S | SLF12N65SV | SLF10N65SV | SLE65R1K2E7 | SLD95R3K2GTZ | SLD90N03TB | SLD90N02TB | SLD8N65SV | SLD8N50UD
Popular searches
2sc1226 | 2sd180 | 2sd235 | k3502 datasheet | p0903bdg datasheet | 2sa722 | f1010e mosfet datasheet | 2sa566