Справочник MOSFET. FCH110N65F

 

FCH110N65F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FCH110N65F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 98 nC
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для FCH110N65F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCH110N65F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1362K  fairchild semi
 fch110n65f.pdf pdf_icon

FCH110N65F

December 2014FCH110N65FN-Channel SuperFET II FRFET MOSFET650 V, 35 A, 110 mFeatures Description 700 V @ TJ = 150C SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductors brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Typ. RDS(on) = 96 m (Typ.)charge balance technology for outstanding low on-resistance Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg

 ..2. Size:2503K  onsemi
 fch110n65f.pdf pdf_icon

FCH110N65F

FCH110N65FN-Channel SuperFET II FRFET MOSFET650 V, 35 A, 110 mFeatures Description 700 V @ TJ = 150CSuperFET II MOSFET is ON Semiconductors brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Typ. RDS(on) = 96 m (Typ.)charge balance technology for outstanding low on-resistance Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 98 nC)and lower g

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFP460 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: BLF3G21-6 | IXFP7N80P | IRF1407 | NCEP85T25D | IRF654A | HY3008M

 

 
Back to Top

 


 
.