Справочник MOSFET. MMIX1F520N075T2

 

MMIX1F520N075T2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MMIX1F520N075T2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 830 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 500 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 545 nC
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0016 Ohm
   Тип корпуса: MMIX
 

 Аналог (замена) для MMIX1F520N075T2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMIX1F520N075T2 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:225K  ixys
 mmix1f420n10t.pdf pdf_icon

MMIX1F520N075T2

Advance Technical InformationGigaMOSTM TrenchTMVDSS = 100VMMIX1F420N10THiperFETTMID25 = 334A Power MOSFET RDS(on) 2.6m Trr 140ns(Electrically Isolated Tab)DN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedGFast Intrinsic DiodeSSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C 100 V Isolated Tab

 8.2. Size:233K  ixys
 mmix1f360n15t2.pdf pdf_icon

MMIX1F520N075T2

Preliminary Technical InformationTrenchT2TM GigaMOSTMVDSS = 150VMMIX1F360N15T2HiperFETTMID25 = 235A Power MOSFET RDS(on) 4.4m trr 150ns(Electrically Isolated Tab)DN-Channel Enhancement ModeGAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSSymbol Test Conditions Maximum Ratings Isolated TabVDSS TJ = 25C to 175C

 8.3. Size:182K  ixys
 mmix1f132n50p3.pdf pdf_icon

MMIX1F520N075T2

Advance Technical InformationPolar3TM HiPerFETTM VDSS = 500VMMIX1F132N50P3Power MOSFET ID25 = 63A RDS(on) 43m (Electrically Isolated Tab) trr 250nsDN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedGFast Intrinsic RectifierSSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 V Isolated TabVDGR TJ =

 8.4. Size:183K  ixys
 mmix1f180n25t.pdf pdf_icon

MMIX1F520N075T2

Advance Technical InformationGigaMOSTM TrenchTMVDSS = 250VMMIX1F180N25THiperFETTMID25 = 130A Power MOSFET RDS(on) 13m trr 200ns(Electrically Isolated Tab)DN-Channel Enhancement ModeGAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSSymbol Test Conditions Maximum Ratings Isolated TabVDSS TJ = 25C to 150C 250 VV

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.