BLA0912-250R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLA0912-250R

Тип транзистора: LDMOS

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 700 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 36 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: SOT502A

Аналог (замена) для BLA0912-250R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLA0912-250R даташит

 ..1. Size:328K  philips
 bla0912-250r.pdf pdf_icon

BLA0912-250R

BLA0912-250R Avionics LDMOS power transistor Rev. 3 1 December 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Silicon N-channel enhancement mode LDMOS transistor encapsulated in a 2-lead SOT502A flange package with a ceramic cap. The common source is connected to the mounting flange. Table 1. Test information Typical RF performance measured in common source cl

 3.1. Size:328K  philips
 bla0912-250.pdf pdf_icon

BLA0912-250R

BLA0912-250 Avionics LDMOS transistor Rev. 3 26 November 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Silicon N-channel enhancement mode LDMOS transistor encapsulated in a 2-lead SOT502A flange package with a ceramic cap. The common source is connected to the mounting flange. Table 1. Test information Typical RF performance measured in common source class-AB

Другие IGBT... BF1212, BF1212R, BF1212WR, BF1214, BF1218, BF904AR, BF904AWR, BLA0912-250, IRF9540N, BLA1011-10, BLA1011-2, BLA1011-200, BLA1011-200R, BLA1011-300, BLA1011S-200, BLA1011S-200R, BLA6G1011-200R