Справочник MOSFET. BLA0912-250R

 

BLA0912-250R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BLA0912-250R
   Тип транзистора: LDMOS
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 700 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 36 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SOT502A
 

 Аналог (замена) для BLA0912-250R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLA0912-250R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:328K  philips
 bla0912-250r.pdf pdf_icon

BLA0912-250R

BLA0912-250RAvionics LDMOS power transistorRev. 3 1 December 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionSilicon N-channel enhancement mode LDMOS transistor encapsulated in a 2-lead SOT502A flange package with a ceramic cap. The common source is connected to the mounting flange.Table 1. Test informationTypical RF performance measured in common source cl

 3.1. Size:328K  philips
 bla0912-250.pdf pdf_icon

BLA0912-250R

BLA0912-250Avionics LDMOS transistorRev. 3 26 November 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionSilicon N-channel enhancement mode LDMOS transistor encapsulated in a 2-lead SOT502A flange package with a ceramic cap. The common source is connected to the mounting flange.Table 1. Test informationTypical RF performance measured in common source class-AB

Другие MOSFET... BF1212 , BF1212R , BF1212WR , BF1214 , BF1218 , BF904AR , BF904AWR , BLA0912-250 , IRF1010E , BLA1011-10 , BLA1011-2 , BLA1011-200 , BLA1011-200R , BLA1011-300 , BLA1011S-200 , BLA1011S-200R , BLA6G1011-200R .

History: VBM165R12 | SVF18NE50PN | MFE990 | CMPDM202PH | CEM3172 | HGK020N10S | STF28NM50N

 

 
Back to Top

 


 
.