BLA6H0912-500. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLA6H0912-500

Тип транзистора: LDMOS

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 450 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 54 A

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm

Тип корпуса: SOT634A

Аналог (замена) для BLA6H0912-500

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLA6H0912-500 даташит

 ..1. Size:141K  philips
 bla6h0912-500.pdf pdf_icon

BLA6H0912-500

BLA6H0912-500 LDMOS avionics radar power transistor Rev. 04 10 May 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 500 W LDMOS power transistor intended for avionics transmitter applications in the 960 MHz to 1215 MHz range such as Mode-S, TCAS, JTIDS, DME and TACAN. Table 1. Test information Typical RF performance at Tcase =25 C; tp = 128 s; = 10 %; IDq =

 9.1. Size:131K  nxp
 bla6h1011-600.pdf pdf_icon

BLA6H0912-500

BLA6H1011-600 LDMOS avionics power transistor Rev. 01 22 April 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 600 W LDMOS pulsed power transistor intended for TCAS and IFF applications in the 1030 MHz to 1090 MHz range. Table 1. Test information Typical RF performance at Tcase =25 C; tp = 50 s; = 2 %; IDq = 100 mA; in a class-AB production test circuit.

Другие IGBT... BLA1011-10, BLA1011-2, BLA1011-200, BLA1011-200R, BLA1011-300, BLA1011S-200, BLA1011S-200R, BLA6G1011-200R, K4145, BLA6H1011-600, BLD6G21L-50, BLD6G21LS-50, BLD6G22L-50, BLD6G22LS-50, BLF1043, BLF1046, BLF145