BLA6H0912-500 - аналоги и даташиты транзистора

 

BLA6H0912-500 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BLA6H0912-500
   Тип транзистора: LDMOS
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 450 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 54 A
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: SOT634A
 

 Аналог (замена) для BLA6H0912-500

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLA6H0912-500 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:141K  philips
 bla6h0912-500.pdf pdf_icon

BLA6H0912-500

BLA6H0912-500LDMOS avionics radar power transistorRev. 04 10 May 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General description500 W LDMOS power transistor intended for avionics transmitter applications in the 960 MHz to 1215 MHz range such as Mode-S, TCAS, JTIDS, DME and TACAN.Table 1. Test informationTypical RF performance at Tcase =25C; tp = 128 s; = 10 %; IDq =

 9.1. Size:131K  nxp
 bla6h1011-600.pdf pdf_icon

BLA6H0912-500

BLA6H1011-600LDMOS avionics power transistorRev. 01 22 April 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General description600 W LDMOS pulsed power transistor intended for TCAS and IFF applications in the 1030 MHz to 1090 MHz range.Table 1. Test informationTypical RF performance at Tcase =25C; tp = 50 s; = 2 %; IDq = 100 mA; in a class-AB production test circuit.

Другие MOSFET... BLA1011-10 , BLA1011-2 , BLA1011-200 , BLA1011-200R , BLA1011-300 , BLA1011S-200 , BLA1011S-200R , BLA6G1011-200R , IRFB3607 , BLA6H1011-600 , BLD6G21L-50 , BLD6G21LS-50 , BLD6G22L-50 , BLD6G22LS-50 , BLF1043 , BLF1046 , BLF145 .

History: RJK0455DPB

 

 
Back to Top

 


 
.