BLA6H0912-500 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: BLA6H0912-500
Тип транзистора: LDMOS
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 450 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 54 A
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
Тип корпуса: SOT634A
Аналог (замена) для BLA6H0912-500
BLA6H0912-500 Datasheet (PDF)
bla6h0912-500.pdf

BLA6H0912-500LDMOS avionics radar power transistorRev. 04 10 May 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General description500 W LDMOS power transistor intended for avionics transmitter applications in the 960 MHz to 1215 MHz range such as Mode-S, TCAS, JTIDS, DME and TACAN.Table 1. Test informationTypical RF performance at Tcase =25C; tp = 128 s; = 10 %; IDq =
bla6h1011-600.pdf

BLA6H1011-600LDMOS avionics power transistorRev. 01 22 April 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General description600 W LDMOS pulsed power transistor intended for TCAS and IFF applications in the 1030 MHz to 1090 MHz range.Table 1. Test informationTypical RF performance at Tcase =25C; tp = 50 s; = 2 %; IDq = 100 mA; in a class-AB production test circuit.
Другие MOSFET... BLA1011-10 , BLA1011-2 , BLA1011-200 , BLA1011-200R , BLA1011-300 , BLA1011S-200 , BLA1011S-200R , BLA6G1011-200R , IRFB3607 , BLA6H1011-600 , BLD6G21L-50 , BLD6G21LS-50 , BLD6G22L-50 , BLD6G22LS-50 , BLF1043 , BLF1046 , BLF145 .
History: NTB18N06G | IRF034 | BUK9K35-60E
History: NTB18N06G | IRF034 | BUK9K35-60E



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2sc1775 datasheet | j377 transistor datasheet | svt20240nt | tip41c replacement | b772m transistor | mj15003g datasheet | irfp460n datasheet | mj15025g