BLF175. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLF175

Тип транзистора: LDMOS

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: SOT123A

Аналог (замена) для BLF175

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLF175 даташит

 ..1. Size:132K  philips
 blf175.pdf pdf_icon

BLF175

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D065 BLF175 HF/VHF power MOS transistor Product specification 2003 Jul 22 Supersedes data of 1997 Dec 15 Philips Semiconductors Product specification HF/VHF power MOS transistor BLF175 FEATURES PIN CONFIGURATION High power gain Low intermodulation distortion Easy power control Good thermal stability ook, halfpage Withstands

 ..2. Size:110K  philips
 blf175 cnv 2.pdf pdf_icon

BLF175

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLF175 HF/VHF power MOS transistor September 1992 Product specification Philips Semiconductors Product specification HF/VHF power MOS transistor BLF175 FEATURES PIN CONFIGURATION High power gain Low intermodulation distortion Easy power control Good thermal stability ook, halfpage Withstands full load mismatch 1 4 Gold m

 9.1. Size:96K  philips
 blf177 cnv 2.pdf pdf_icon

BLF175

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLF177 HF/VHF power MOS transistor September 1992 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC08a Philips Semiconductors Product specification HF/VHF power MOS transistor BLF177 FEATURES PIN CONFIGURATION High power gain Low intermodulation distortion 14 andbook, halfpage Easy power control Good thermal stability

 9.2. Size:117K  philips
 blf177.pdf pdf_icon

BLF175

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BLD6G21L-50, BLD6G21LS-50, BLD6G22L-50, BLD6G22LS-50, BLF1043, BLF1046, BLF145, BLF147, NCEP15T14, BLF177, BLF178P, BLF202, BLF2043F, BLF242, BLF2425M7L250P, BLF2425M7LS250P, BLF244