BSH111 - описание и поиск аналогов

 

BSH111. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSH111

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.335 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm

Тип корпуса: TO236AB

Аналог (замена) для BSH111

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSH111 даташит

 ..1. Size:281K  philips
bsh111.pdfpdf_icon

BSH111

BSH111 N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 02 26 April 2002 Product data M3D088 1. Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. Product availability BSH111 in SOT23. 2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Low threshold voltage Subminiature surface mount package. 3. A

 0.1. Size:296K  philips
bsh111-01.pdfpdf_icon

BSH111

BSH111 N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01 07 August 2000 Product specification 1. Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS 1 technology. Product availability BSH111 in SOT23. 2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Low threshold voltage Subminiature surface mount package. 3

 0.2. Size:281K  nxp
bsh111bk.pdfpdf_icon

BSH111

BSH111BK 55 V, N-channel Trench MOSFET 26 November 2014 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Low threshold voltage Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroStatic Disc

 9.1. Size:290K  philips
bsh112.pdfpdf_icon

BSH111

BSH112 N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01 25 August 2000 Product specification M3D088 1. Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS 1 technology. Product availability BSH112 in SOT23. 2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Logic level compatible Subminiature surface mount pa

Другие MOSFET... BLS7G2729LS-350P , BLS7G2933S-150 , BLS7G3135L-350P , BLS7G3135LS-350P , 2SK3408 , BSH103 , BSH105 , BSH108 , IRFB3607 , BSH114 , BSH121 , BSH201 , BSH202 , BSH203 , BSH205 , BSH207 , BSP030 .

History: BSH114

 

 

 

 

↑ Back to Top
.