BSH111. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BSH111
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.335 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
Тип корпуса: TO236AB
Аналог (замена) для BSH111
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
BSH111 даташит
bsh111.pdf
BSH111 N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 02 26 April 2002 Product data M3D088 1. Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. Product availability BSH111 in SOT23. 2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Low threshold voltage Subminiature surface mount package. 3. A
bsh111-01.pdf
BSH111 N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01 07 August 2000 Product specification 1. Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS 1 technology. Product availability BSH111 in SOT23. 2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Low threshold voltage Subminiature surface mount package. 3
bsh111bk.pdf
BSH111BK 55 V, N-channel Trench MOSFET 26 November 2014 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Low threshold voltage Very fast switching Trench MOSFET technology ElectroStatic Disc
bsh112.pdf
BSH112 N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01 25 August 2000 Product specification M3D088 1. Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS 1 technology. Product availability BSH112 in SOT23. 2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Logic level compatible Subminiature surface mount pa
Другие MOSFET... BLS7G2729LS-350P , BLS7G2933S-150 , BLS7G3135L-350P , BLS7G3135LS-350P , 2SK3408 , BSH103 , BSH105 , BSH108 , IRFB3607 , BSH114 , BSH121 , BSH201 , BSH202 , BSH203 , BSH205 , BSH207 , BSP030 .
History: BSH114
History: BSH114
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
irf9540n datasheet | ss8050 | irfp4668 | mpsa56 | c3205 transistor | tip35c datasheet | 2n5401 datasheet | mj21194g






