BSH205 - описание и поиск аналогов

 

BSH205. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSH205

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.417 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO236AB

Аналог (замена) для BSH205

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSH205 даташит

 ..1. Size:112K  philips
bsh205 3.pdfpdf_icon

BSH205

Philips Semiconductors Product specification P-channel enhancement mode BSH205 MOS transistor FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA s Very low threshold voltage VDS = -12 V Fast switching Logic level compatible ID = -0.75 A g Subminiature surface mount package RDS(ON) 0.5 (VGS = -2.5 V) VGS(TO) 0.4 V d GENERAL DESCRIPTION PINNING SOT23 P-channel, enhan

 0.1. Size:276K  nxp
bsh205g2.pdfpdf_icon

BSH205

BSH205G2 20 V, P-channel Trench MOSFET 29 April 2015 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Low threshold voltage Low on-state resistance Trench MOSFET technology Enhanced power di

 9.1. Size:110K  philips
bsh202 3.pdfpdf_icon

BSH205

Philips Semiconductors Product specification P-channel enhancement mode BSH202 MOS transistor FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA s Low threshold voltage VDS = -30 V Fast switching Logic level compatible ID = -0.52 A g Subminiature surface mount package RDS(ON) 0.9 (VGS = -10 V) d GENERAL DESCRIPTION PINNING SOT23 P-channel, enhancement mode, PIN DESCRIPT

 9.2. Size:118K  philips
bsh201 3.pdfpdf_icon

BSH205

Philips Semiconductors Product specification P-channel enhancement mode BSH201 MOS transistor FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA s Low threshold voltage VDS = -60 V Fast switching Logic level compatible ID = -0.3 A g Subminiature surface mount package RDS(ON) 2.5 (VGS = -10 V) d GENERAL DESCRIPTION PINNING SOT23 P-channel, enhancement mode, PIN DESCRIPTI

Другие MOSFET... BSH105 , BSH108 , BSH111 , BSH114 , BSH121 , BSH201 , BSH202 , BSH203 , STP80NF70 , BSH207 , BSP030 , BSP100 , BSP110 , BSP122 , BSP126 , BSP130 , BSP220 .

History: BUK6510-75C | LNH04R120

 

 

 

 

↑ Back to Top
.