Справочник MOSFET. BSP030

 

BSP030 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSP030
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 8.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 40 nC
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: SC73
 

 Аналог (замена) для BSP030

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSP030 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:351K  philips
 bsp030.pdf pdf_icon

BSP030

BSP030N-channel enhancement mode field-effect transistorRev. 04 26 July 2000 Product specification1. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology.Product availability:BSP030 in SOT223.2. Features TrenchMOS technology Fast switching Low on-state resistance Logic level compatible Surface mount pac

 ..2. Size:884K  cn vbsemi
 bsp030.pdf pdf_icon

BSP030

BSP030www.VBsemi.twwww.VBsemi.twN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 30 AEC-Q101 QualifiedcRDS(on) () at VGS = 10 V 0.019 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.021ID (A) 7Configuration SingleDSOT-223GDSDGSN-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise

Другие MOSFET... BSH111 , BSH114 , BSH121 , BSH201 , BSH202 , BSH203 , BSH205 , BSH207 , IRFZ24N , BSP100 , BSP110 , BSP122 , BSP126 , BSP130 , BSP220 , BSP225 , BSP230 .

History: AM4924N | STF13N60M2

 

 
Back to Top

 


 
.