BSP030 - описание и поиск аналогов

 

BSP030. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSP030

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 8.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: SC73

Аналог (замена) для BSP030

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSP030 даташит

 ..1. Size:351K  philips
 bsp030.pdf pdf_icon

BSP030

BSP030 N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 04 26 July 2000 Product specification 1. Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS 1 technology. Product availability BSP030 in SOT223. 2. Features TrenchMOS technology Fast switching Low on-state resistance Logic level compatible Surface mount pac

 ..2. Size:884K  cn vbsemi
 bsp030.pdf pdf_icon

BSP030

BSP030 www.VBsemi.tw www.VBsemi.tw N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 30 AEC-Q101 Qualifiedc RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.019 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.021 ID (A) 7 Configuration Single D SOT-223 G D S D G S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise

Другие MOSFET... BSH111 , BSH114 , BSH121 , BSH201 , BSH202 , BSH203 , BSH205 , BSH207 , TK10A60D , BSP100 , BSP110 , BSP122 , BSP126 , BSP130 , BSP220 , BSP225 , BSP230 .

History: AP6P025I | BSP110 | TK22E10N1

 

 

 

 

↑ Back to Top
.