BSS84AKM - описание и поиск аналогов

 

BSS84AKM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSS84AKM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.34 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.23 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7.5 Ohm

Тип корпуса: SOT883

Аналог (замена) для BSS84AKM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSS84AKM даташит

 ..1. Size:1411K  nxp
 bss84akm.pdf pdf_icon

BSS84AKM

BSS84AKM 50 V, 230 mA P-channel Trench MOSFET Rev. 1 23 May 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small SOT883 (SC-101) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Logic-level compatible ESD protection up to 1 kV

 0.1. Size:1030K  nxp
 bss84akmb.pdf pdf_icon

BSS84AKM

BSS84AKMB 50 V, single P-channel Trench MOSFET Rev. 1 6 June 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Logic-level compatible ElectroStatic Di

 7.1. Size:1426K  nxp
 bss84akv.pdf pdf_icon

BSS84AKM

BSS84AKV 50 V, 170 mA dual P-channel Trench MOSFET Rev. 1 19 May 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Dual P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an ultra small and flat lead SOT666 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Logic-level compatible ESD protection up to

 7.2. Size:1420K  nxp
 bss84ak.pdf pdf_icon

BSS84AKM

BSS84AK 50 V, 180 mA P-channel Trench MOSFET Rev. 1 23 May 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Logic-level compatible ESD protection up to 1 kV Very fast switc

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BSS138BK , BSS138BKW , BSS138P , BSS138PS , BSS138PW , BSS192 , BSS83 , BSS84AK , 8N60 , BSS84AKS , BSS84AKT , BSS84AKV , BSS84AKW , BSS87 , BST82 , BUK6207-55C , BUK6209-30C .

History: LNH4N80 | IPA032N06N3G | BLS6G3135S-20

 

 

 

 

↑ Back to Top
.