Справочник MOSFET. BUK7506-75B

 

BUK7506-75B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BUK7506-75B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 91 nC
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0056 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB

 Аналог (замена) для BUK7506-75B

 

 

BUK7506-75B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:322K  philips
 buk7506-75b buk7606-75b.pdf

BUK7506-75B BUK7506-75B

BUK75/7606-75BTrenchMOS standard level FETRev. 02 20 September 2002 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package usingPhilips High-Performance Automotive TrenchMOS technology.Product availability:BUK7506-75B in SOT78 (TO-220AB)BUK7606-75B in SOT404 (D2-PAK).1.2 Features Very low on-stat

 6.1. Size:320K  philips
 buk7506-55a buk7606-55a.pdf

BUK7506-75B BUK7506-75B

BUK7506-55A; BUK7606-55ATrenchMOS standard level FETRev. 02 03 July 2001 Product data1. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology, featuring very low on-state resistance.Product availability:BUK7506-55A in SOT78 (TO-220AB)BUK7606-55A in SOT404 (D2-PAK).2. Features TrenchMOS technology Q10

 6.2. Size:51K  philips
 buk7506-55a 1.pdf

BUK7506-75B BUK7506-75B

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK7506-55A Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITstandard level field-effect powertransistor in a plastic envelope using VDS Drain-source voltage 55 Vtrench technology which features ID Drain current (DC) 75 Avery low on-state resis

 6.3. Size:49K  philips
 buk7506-30 1.pdf

BUK7506-75B BUK7506-75B

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK7506-30 Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITstandard level field-effect powertransistor in a plastic envelope using VDS Drain-source voltage 30 Vtrench technology. The device ID Drain current (DC) 75 Afeatures very low on-state

 6.4. Size:281K  inchange semiconductor
 buk7506-55a.pdf

BUK7506-75B BUK7506-75B

isc N-Channel MOSFET Transistor BUK7506-55AFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 6.3mFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONAutomotive and general purpose power switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Sour

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top