BUK761R8-30C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUK761R8-30C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 333 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0018 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для BUK761R8-30C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK761R8-30C даташит

 ..1. Size:203K  philips
 buk761r8-30c.pdf pdf_icon

BUK761R8-30C

BUK761R8-30C N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 02 20 August 2007 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description N-channel enhancement mode power Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package, using NXP Ultra High-Performance (UHP) automotive TrenchMOS technology. 1.2 Features 175 C rated Q101 compliant Standard level compatible TrenchMOS technol

 7.1. Size:257K  nxp
 buk761r5-40e.pdf pdf_icon

BUK761R8-30C

BUK761R5-40E N-channel TrenchMOS standard level FET 7 May 2013 Product data sheet 1. General description Standard level N-channel MOSFET in a SOT404A package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to AEC Q101 standard for use in high performance automotive applications. 2. Features and benefits AEC Q101 compliant Repetitive avalanche rated

 7.2. Size:250K  nxp
 buk761r7-40e.pdf pdf_icon

BUK761R8-30C

 7.3. Size:235K  nxp
 buk761r3-30e.pdf pdf_icon

BUK761R8-30C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BUK7609-75A, BUK7610-100B, BUK7610-55AL, BUK7611-55A, BUK7611-55B, BUK7613-75B, BUK7614-55A, BUK7619-100B, IRFB4115, BUK7620-100A, BUK7620-55A, BUK7623-75A, BUK7624-55A, BUK7626-100B, BUK7628-100A, BUK7628-55A, BUK762R0-40C