Справочник MOSFET. BUK7L06-34ARC

 

BUK7L06-34ARC MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BUK7L06-34ARC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 34 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 82 nC
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB

 Аналог (замена) для BUK7L06-34ARC

 

 

BUK7L06-34ARC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:219K  philips
 buk7l06-34arc.pdf

BUK7L06-34ARC BUK7L06-34ARC

BUK7L06-34ARCN-channel TrenchPLUS standard level FETRev. 05 17 February 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionStandard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. The devices include internal gate resistors and TrenchPLUS diodes for clamping and ElectroStatic Discharge (ESD) protectio

 9.1. Size:217K  philips
 buk7l11-34arc.pdf

BUK7L06-34ARC BUK7L06-34ARC

BUK7L11-34ARCN-channel TrenchPLUS standard level FETRev. 05 17 February 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionStandard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. The devices include internal gate resistors and TrenchPLUS diodes for clamping and ElectroStatic Discharge (ESD) protectio

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top