BUK9107-40ATC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: BUK9107-40ATC
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 272 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0062 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
Аналог (замена) для BUK9107-40ATC
BUK9107-40ATC Datasheet (PDF)
buk9107-55ate buk9907-55ate.pdf

BUK91/9907-55ATETrenchPLUS logic level FETRev. 01 7 February 2002 Product data1. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology, featuring very low on state resistance and TrenchPLUSdiodes for clamping, ElectroStatic Discharge (ESD) protection and temperaturesensing.Product availability:BUK9107-55ATE in
buk9120-48tc 3.pdf

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK9120-48TC Voltage clamped logic level FETwith temperature sensing diodesGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAProtected N-channel enhancement SYMBOL PARAMETER MIN. TYP. MAX. UNITmode logic level field-effect powertransistor in a plastic envelope V(CL)DSR Drain-source clamp voltage 40 45 55 Vsuitable for surfa
Другие MOSFET... BUK7Y18-75B , BUK7Y20-30B , BUK7Y25-40B , BUK7Y28-75B , BUK7Y33-100B , BUK7Y35-55B , BUK7Y53-100B , BUK7Y54-75B , MMIS60R580P , BUK9107-55ATE , BUK9207-30B , BUK9209-40B , BUK9212-55B , BUK9213-30A , BUK9214-30A , BUK92150-55A , BUK9215-55A .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2n2712 datasheet | 2sc2525 | tip73 | 2n3392 | 2n2369a | 2sc733 | a933 transistor | d209l