2SB330. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB330

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 110 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 35

Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для 2SB330

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB330 даташит

 9.1. Size:210K  inchange semiconductor
 2sb337.pdf pdf_icon

2SB330

isc Silicon PNP Power Transistors 2SB337 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- V = -0.29V(Typ.) @I = -4A CE(sat) C High Power Dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio frequency power output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector

Другие транзисторы: 2SB323, 2SB324, 2SB325, 2SB326, 2SB327, 2SB328, 2SB329, 2SB33, 8550, 2SB331, 2SB331H, 2SB332, 2SB332H, 2SB333, 2SB333H, 2SB334, 2SB334H