2SB367 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SB367  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SB367

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB367 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: 2SB359, 2SB360, 2SB361, 2SB362, 2SB363, 2SB364, 2SB365, 2SB366, TIP41, 2SB367H, 2SB368, 2SB368H, 2SB37, 2SB370, 2SB370A, 2SB370AH, 2SB371