Биполярный транзистор 2SB367H Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: 2SB367H
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 4 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO3
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам