2SB370 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SB370  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO1

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SB370

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB370 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: 2SB364, 2SB365, 2SB366, 2SB367, 2SB367H, 2SB368, 2SB368H, 2SB37, TIP122, 2SB370A, 2SB370AH, 2SB371, 2SB371M, 2SB372, 2SB373, 2SB373A, 2SB374