2SB401. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB401

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.24 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.15 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для 2SB401

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB401 даташит

 9.1. Size:203K  inchange semiconductor
 2sb407.pdf pdf_icon

2SB401

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB407 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -30V(Min) CEO(SUS) Low Collector Saturation Voltage- V = -1.0V(Max.) @I = -6A CE(sat) C Wide area of safe operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATI

Другие транзисторы: 2SB394, 2SB395, 2SB396, 2SB397, 2SB398, 2SB399, 2SB40, 2SB400, A1013, 2SB402, 2SB403, 2SB404, 2SB405, 2SB405K, 2SB405ST, 2SB406, 2SB407