2SB436. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB436

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.12 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO1

 Аналоги (замена) для 2SB436

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB436 даташит

 9.1. Size:69K  wingshing
 2sb435.pdf pdf_icon

2SB436

2SB435 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER TO-220 Complement to 2SD235 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -50 V Collector-Emitter Voltage VCEO -40 V Emitter-Base voltage VEBO -5 V Collector Current (DC) IC -3 A Collector Dissipation (Tc=25 PC 25 W Junc

 9.2. Size:196K  inchange semiconductor
 2sb434.pdf pdf_icon

2SB436

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB434 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -50V(Min) CEO(SUS) Low Collector Saturation Voltage- V = -1.2V(Max.) @I = -3A CE(sat) C Complement to Type 2SD234 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for low frequency power amplifier applications. ABSOLUTE

 9.3. Size:211K  inchange semiconductor
 2sb435.pdf pdf_icon

2SB436

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB435 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -50V(Min) CEO(SUS) Low Collector Saturation Voltage- V = -1.0V(Max.) @I = -1A CE(sat) C Complement to Type 2SD235 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for low frequency power amplifier applications. ABSOLUTE

Другие транзисторы: 2SB434O, 2SB434R, 2SB434Y, 2SB435, 2SB435G, 2SB435O, 2SB435R, 2SB435Y, A1015, 2SB437, 2SB438, 2SB439, 2SB43A, 2SB44, 2SB440, 2SB441, 2SB442