2SB511E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB511E

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для 2SB511E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB511E даташит

 8.1. Size:48K  no
 2sb511.pdf pdf_icon

2SB511E

 8.2. Size:155K  jmnic
 2sb511.pdf pdf_icon

2SB511E

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB511 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type 2SD325 Low collector saturation voltage APPLICATIONS Designed for use in low frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol 3 Base

 8.3. Size:218K  inchange semiconductor
 2sb511.pdf pdf_icon

2SB511E

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB511 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -35V(Min) (BR)CEO Low Collector Saturation Voltage- V = -1.0V(Max) @I = -1.5A CE(sat) C Complement to Type 2SD325 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for 5W AF power amplifier output applications. ABSOLUTE MA

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SB508F, 2SB509, 2SB51, 2SB510, 2SB510-5, 2SB511, 2SB511C, 2SB511D, BD335, 2SB511F, 2SB512, 2SB512A, 2SB513, 2SB513A, 2SB514, 2SB514C, 2SB514D