Биполярный транзистор 2SB511E - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SB511E
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO220
2SB511E Datasheet (PDF)
2sb511.pdf
JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB511 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type 2SD325 Low collector saturation voltage APPLICATIONS Designed for use in low frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol3 Base
2sb511.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SB511DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -35V(Min)(BR)CEOLow Collector Saturation Voltage-: V = -1.0V(Max) @I = -1.5ACE(sat) CComplement to Type 2SD325Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for 5W AF power amplifier output applications.ABSOLUTE MA
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , BC557 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050