2SB520. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB520

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 35

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2SB520

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB520 даташит

 ..1. Size:178K  inchange semiconductor
 2sb520.pdf pdf_icon

2SB520

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor 2SB520 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -140V(Min) CEO(SUS) Low Collector Saturation Voltage- V = -1.0V(Max.) @I = -7A CE(sat) C Wide area of safe operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general-purpose switching a

 9.1. Size:183K  inchange semiconductor
 2sb521.pdf pdf_icon

2SB520

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor 2SB521 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -60V(Min) CEO(SUS) Low Collector Saturation Voltage- V = -0.4V(Max.) @I = -3A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high current switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATI

 9.2. Size:167K  inchange semiconductor
 2sb522.pdf pdf_icon

2SB520

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor 2SB522 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -60V(Min) CEO(SUS) Low Collector Saturation Voltage- V = -0.4V(Max.) @I = -3A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high current switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATI

 9.3. Size:217K  inchange semiconductor
 2sb526.pdf pdf_icon

2SB520

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB526 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -80V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Complement to Type 2SD356 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for AF high power dirver applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SB516, 2SB518, 2SB518-1, 2SB518-2, 2SB519, 2SB519-1, 2SB519-2, 2SB52, D880, 2SB520-1, 2SB520-2, 2SB521, 2SB521-1, 2SB521-2, 2SB522, 2SB522-1, 2SB522-2