2SB54 datasheet, аналоги, параметры транзистора

2SB54 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SB54 📄📄

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.5 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 70 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: TO1

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для 2SB54

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

2SB54 даташит

0.1. Size:445K sanyo
2sb544.pdf pdf_icon

0.2. Size:134K nec
2sb548 2sb549 2sd414 2sd415.pdf pdf_icon

DATA SHEET SILICON POWER TRANSISTOR 2SB548, 549/2SD414, 415 PNP/NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS FEATURES PACKAGE DRAWING (UNIT mm) Ideal for audio amplifier drivers with 30 W to 50 W output High voltage Available for small mount spaces due to small and thin package Easy to be attached to radiators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25

0.3. Size:567K nec
2sb546a 2sb547a 2sd401a 2sd402a 2sd401a 2sd402a 2sb546a 2sb547a.pdf pdf_icon