2SB540. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB540

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 110 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 13 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2SB540

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB540 даташит

 9.1. Size:445K  sanyo
2sb544.pdfpdf_icon

2SB540

 9.2. Size:134K  nec
2sb548 2sb549 2sd414 2sd415.pdfpdf_icon

2SB540

DATA SHEET SILICON POWER TRANSISTOR 2SB548, 549/2SD414, 415 PNP/NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS FEATURES PACKAGE DRAWING (UNIT mm) Ideal for audio amplifier drivers with 30 W to 50 W output High voltage Available for small mount spaces due to small and thin package Easy to be attached to radiators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25

 9.4. Size:108K  mospec
2sb546 2sb546a.pdfpdf_icon

2SB540

A A A

Другие транзисторы: 2SB536, 2SB537, 2SB538, 2SB539, 2SB539A, 2SB539B, 2SB539C, 2SB54, D667, 2SB541, 2SB542, 2SB544, 2SB544D, 2SB544E, 2SB544F, 2SB544G, 2SB546