Справочник транзисторов. 2SB566B

 

Биполярный транзистор 2SB566B - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SB566B
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для 2SB566B

 

 

2SB566B Datasheet (PDF)

 8.1. Size:33K  hitachi
2sb566.pdf

2SB566B
2SB566B

2SB566(K), 2SB566A(K)Silicon PNP Triple DiffusedApplicationLow frequency power amplifier power switching complementary pair with 2SD476(K) and 2SD476A(K)OutlineTO-220AB1. Base2. Collector(Flange)13. Emitter23Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)RatingsItem Symbol 2SB566(K) 2SB566A(K) UnitCollector to base voltage VCBO 70 70 VCollector to emitter voltage V

 8.2. Size:257K  jmnic
2sb566 2sb566a.pdf

2SB566B
2SB566B

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB566 2SB566A DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type 2SD476/476A APPLICATIONS For low frequency power amplifier power switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol3 BaseAbsolute maximum ratin

 8.3. Size:150K  inchange semiconductor
2sb566 2sb566a.pdf

2SB566B
2SB566B

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB566 2SB566A DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type 2SD476/476A APPLICATIONS For low frequency power amplifier power switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol3 BaseAbsol

 8.4. Size:218K  inchange semiconductor
2sb566.pdf

2SB566B
2SB566B

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB566DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage:V = -1.0(V)(Max)@I = -2ACE(sat) CCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -50V(Min)(BR)CEOComplement to Type 2SD476Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low frequency power amplifier and powerswitching applica

 8.5. Size:150K  inchange semiconductor
2sb566-a.pdf

2SB566B
2SB566B

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB566 2SB566A DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type 2SD476/476A APPLICATIONS For low frequency power amplifier power switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol3 BaseAbsol

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top