2SB570. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB570

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 6000

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для 2SB570

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB570 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: 2SB566B, 2SB566C, 2SB566K, 2SB567, 2SB568, 2SB569, 2SB56A, 2SB57, 2SD313, 2SB571, 2SB572, 2SB573, 2SB574, 2SB575, 2SB576, 2SB577, 2SB578