2SB587. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB587

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 3000

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2SB587

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB587 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: 2SB58, 2SB580, 2SB581, 2SB582, 2SB583, 2SB584, 2SB585, 2SB586, NJW0281G, 2SB588, 2SB589, 2SB59, 2SB595, 2SB595O, 2SB595R, 2SB595Y, 2SB596