2SB59. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB59

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO1

 Аналоги (замена) для 2SB59

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB59 даташит

 0.1. Size:69K  wingshing
2sb595.pdfpdf_icon

2SB59

2SB595 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER TO-220 Complement to 2SD525 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -100 V Collector-Emitter Voltage VCEO -100 V Emitter-Base voltage VEBO -5 V Collector Current (DC) IC -5 A Collector Dissipation (Tc=25 PC 40 W Ju

 0.2. Size:69K  wingshing
2sb596.pdfpdf_icon

2SB59

2SB596 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER TO-220 Complement to 2SD526 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -80 V Collector-Emitter Voltage VCEO -80 V Emitter-Base voltage VEBO -5 V Collector Current (DC) IC -4 A Collector Dissipation (Tc=25 PC 30 W Junc

 0.3. Size:216K  jmnic
2sb595.pdfpdf_icon

2SB59

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB595 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type 2SD525 High breakdown voltage VCEO=-100V Low collector saturation volage VCE(sat)=-2.0V(Max) APPLICATIONS Power amplifier applications Recommend for 30W high fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emi

 0.4. Size:235K  jmnic
2sb596.pdfpdf_icon

2SB59

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB596 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type 2SD526 Good linearity of hFE APPLICATIONS Power amplifier applications Recommend for 20 25W high fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 Base Absolute

Другие транзисторы: 2SB582, 2SB583, 2SB584, 2SB585, 2SB586, 2SB587, 2SB588, 2SB589, TIP2955, 2SB595, 2SB595O, 2SB595R, 2SB595Y, 2SB596, 2SB596O, 2SB596R, 2SB596Y