Биполярный транзистор 2SB631E
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SB631E
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 55
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора:
TO126
Аналоги (замена) для 2SB631E
2SB631E
Datasheet (PDF)
8.1. Size:220K jmnic
2sb631 2sb631k.pdf 
JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB631 2SB631K DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SD600/K High breakdown voltage VCEO:-100/-120V High current: -1A Low saturation voltage,excellent hFE linearity APPLICATIONS For low-frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to
8.2. Size:358K lzg
2sb631k 3ca631k.pdf 
2SB631K(3CA631K) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose:Low frequency power amplifier,medium speed switching applications . :, 2SD600K(3DA600K) Features:High V ,high current,low saturation voltage and good linearity of h compleme
8.3. Size:200K inchange semiconductor
2sb631.pdf 
INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SB631DESCRIPTIONHigh Collector Current-I =-1.0ACHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V =-100V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFELow Saturation VoltageComplement to Type 2SD600Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicati
8.4. Size:178K inchange semiconductor
2sb631 2sb631k.pdf 
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB631 2SB631K DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SD600/K High breakdown voltage VCEO:-100/-120V High current: -1A Low saturation voltage,excellent hFE linearity APPLICATIONS For low-frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collecto
8.5. Size:178K inchange semiconductor
2sb631-k.pdf 
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB631 2SB631K DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SD600/K High breakdown voltage VCEO:-100/-120V High current: -1A Low saturation voltage,excellent hFE linearity APPLICATIONS For low-frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collecto
8.6. Size:213K inchange semiconductor
2sb631k.pdf 
isc Silicon PNP Power Transistor 2SB631KDESCRIPTIONHigh Collector Current-I =-1.0ACHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V =-120V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFELow Saturation VoltageComplement to Type 2SD600KMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsABSOLUTE MAXIMUM
Другие транзисторы... 2N3200
, 2N3201
, 2N3202
, 2N3203
, 2N3204
, 2N3205
, 2N3206
, 2N3207
, B772
, 2N3209
, 2N3209AQF
, 2N3209CSM
, 2N3209DCSM
, 2N3209L
, 2N321
, 2N3210
, 2N3211
.
