Справочник транзисторов. 2SB631KD

 

Биполярный транзистор 2SB631KD - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SB631KD
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 55 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для 2SB631KD

 

 

2SB631KD Datasheet (PDF)

 7.1. Size:220K  jmnic
2sb631 2sb631k.pdf

2SB631KD
2SB631KD

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB631 2SB631K DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SD600/K High breakdown voltage VCEO:-100/-120V High current: -1A Low saturation voltage,excellent hFE linearity APPLICATIONS For low-frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to

 7.2. Size:358K  lzg
2sb631k 3ca631k.pdf

2SB631KD
2SB631KD

2SB631K(3CA631K) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose:Low frequency power amplifier,medium speed switching applications . :, 2SD600K(3DA600K) Features:High V ,high current,low saturation voltage and good linearity of h compleme

 7.3. Size:178K  inchange semiconductor
2sb631 2sb631k.pdf

2SB631KD
2SB631KD

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB631 2SB631K DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SD600/K High breakdown voltage VCEO:-100/-120V High current: -1A Low saturation voltage,excellent hFE linearity APPLICATIONS For low-frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collecto

 7.4. Size:213K  inchange semiconductor
2sb631k.pdf

2SB631KD
2SB631KD

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB631KDESCRIPTIONHigh Collector Current-I =-1.0ACHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V =-120V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFELow Saturation VoltageComplement to Type 2SD600KMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsABSOLUTE MAXIMUM

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top