Справочник транзисторов. 2SB631KF

 

Биполярный транзистор 2SB631KF Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SB631KF
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 55 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
   Корпус транзистора: TO126
 

 Аналог (замена) для 2SB631KF

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB631KF Datasheet (PDF)

 7.1. Size:220K  jmnic
2sb631 2sb631k.pdfpdf_icon

2SB631KF

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB631 2SB631K DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SD600/K High breakdown voltage VCEO:-100/-120V High current: -1A Low saturation voltage,excellent hFE linearity APPLICATIONS For low-frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to

 7.2. Size:358K  lzg
2sb631k 3ca631k.pdfpdf_icon

2SB631KF

2SB631K(3CA631K) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose:Low frequency power amplifier,medium speed switching applications . :, 2SD600K(3DA600K) Features:High V ,high current,low saturation voltage and good linearity of h compleme

 7.3. Size:178K  inchange semiconductor
2sb631 2sb631k.pdfpdf_icon

2SB631KF

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB631 2SB631K DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SD600/K High breakdown voltage VCEO:-100/-120V High current: -1A Low saturation voltage,excellent hFE linearity APPLICATIONS For low-frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collecto

 7.4. Size:213K  inchange semiconductor
2sb631k.pdfpdf_icon

2SB631KF

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB631KDESCRIPTIONHigh Collector Current-I =-1.0ACHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V =-120V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFELow Saturation VoltageComplement to Type 2SD600KMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsABSOLUTE MAXIMUM

Другие транзисторы... 2SB630 , 2SB631 , 2SB631D , 2SB631E , 2SB631F , 2SB631K , 2SB631KD , 2SB631KE , BC546 , 2SB632 , 2SB632D , 2SB632E , 2SB632F , 2SB632K , 2SB632KD , 2SB632KE , 2SB632KF .

History: KSA916 | 2N5533 | BCP56 | FMMT3743 | TI490 | MP3615

 

 
Back to Top

 


 
.