2SB650H - описание и поиск аналогов

 

Аналоги 2SB650H. Основные параметры


   Наименование производителя: 2SB650H
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 16 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8000
   Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2SB650H

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB650H даташит

 9.1. Size:356K  jmnic
 2sb656.pdf pdf_icon

2SB650H

Product Specification www.jmnic.com Silicon PNP Power Transistors 2SB656 DESCRIPTION With TO-3 package High power dissipation APPLICATIONS For use in power amplifier applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collector Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT VCBO Coll

 9.2. Size:211K  inchange semiconductor
 2sb655.pdf pdf_icon

2SB650H

isc Silicon PNP Power Transistors 2SB655 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -160V(Min) (BR)CEO High Power Dissipation- P = 100W(Max)@T =25 C C Complement to Type 2SD675 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for low frequency power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

 9.3. Size:211K  inchange semiconductor
 2sb653.pdf pdf_icon

2SB650H

isc Silicon PNP Power Transistors 2SB653 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -100V(Min) (BR)CEO High Power Dissipation- P = 60W(Max)@T =25 C C Complement to Type 2SD673 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for low frequency power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =

 9.4. Size:211K  inchange semiconductor
 2sb654.pdf pdf_icon

2SB650H

isc Silicon PNP Power Transistors 2SB654 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -100V(Min) (BR)CEO High Power Dissipation- P = 80W(Max)@T =25 C C Complement to Type 2SD674 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for low frequency power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SB649A , 2SB649AB , 2SB649AC , 2SB649B , 2SB649C , 2SB649D , 2SB65 , 2SB650 , A42 , 2SB653 , 2SB653A , 2SB654 , 2SB654A , 2SB655 , 2SB655A , 2SB656 , 2SB656A .

History: 13003E | 13003F

 

 

 


 
↑ Back to Top
.