Справочник транзисторов. 2SB709A

 

Биполярный транзистор 2SB709A Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SB709A
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90
   Корпус транзистора: TO236
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SB709A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:52K  panasonic
2sb709a e.pdfpdf_icon

2SB709A

Transistor2SB709ASilicon PNP epitaxial planer typeFor general amplificationUnit: mmComplementary to 2SD601A+0.22.8 0.3+0.250.65 0.15 1.5 0.05 0.65 0.15FeaturesHigh foward current transfer ratio hFE.Mini type package, allowing downsizing of the equipment and1automatic insertion through the tape packing and the magazine3packing.2Absolute Maximum Ratin

 ..2. Size:98K  panasonic
2sb709a.pdfpdf_icon

2SB709A

Transistors2SB0709A (2SB709A)Silicon PNP epitaxial planar typeFor general amplificationUnit: mmComplementary to 2SD0601A (2SD601A)0.40+0.100.050.16+0.100.063 Features High forward current transfer ratio hFE Mini type package, allowing downsizing of the equipment and1 2automatic insertion through the tape packing and the magazine(0.95) (0.95)packi

 ..3. Size:617K  secos
2sb709a.pdfpdf_icon

2SB709A

2SB709A -0.2A , -45V PNP Silicon General Purpose Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead free FEATURES SOT-23 For general amplification A Complementary of the 2SD601A L33Top ViewC BCLASSIFICATION OF hFE 11 2Product-Rank 2SB709A-Q 2SB709A-R 2SB709A-S 2K ERange 160~260 210~340 290~460

 ..4. Size:656K  jiangsu
2sb709a.pdfpdf_icon

2SB709A

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD J C T SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors SOT-23 2SB709A TRANSISTOR (PNP) FEATURES 1. BASE For general amplification 2. EMITTER Complementary to 2SD601A 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitCollector-Base Voltage VCBO -45 VCollector-Emitter Voltage VCEO

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: BCY59C | BC847BDW1T1G | 2SC2840 | 2SB1007 | MT0414 | ZTX214BK | 2N1175B

 

 
Back to Top

 


 
.