2SB712 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: 2SB712 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1000
Корпус транзистора: TO220
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для 2SB712
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SB712 даташит
2sb710.pdf
Transistors 2SB0710, 2SB0710A Silicon PNP epitaxial planer type Unit mm 0.40+0.10 For general amplification 0.05 0.16+0.10 0.06 3 Complementary to 2SD0602 and 2SD0602A Features Large collector current IC 1 2 Mini type package, allowing downsizing of the equipment and (0.95) (0.95) automatic insertion through the tape packing and the magazine 1.9 0.1 2.90+0.20
2sb710 e.pdf
Transistor 2SB710, 2SB710A Silicon PNP epitaxial planer type For general amplification Unit mm Complementary to 2SD602 and 2SD602A +0.2 2.8 0.3 Features +0.25 0.65 0.15 1.5 0.05 0.65 0.15 Large collector current IC. Mini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through the tape packing and the magazine 1 packing. 3 Absolute Maximum
Другие транзисторы: 2SB707, 2SB708, 2SB709, 2SB709A, 2SB71, 2SB710, 2SB710A, 2SB711, BC556, 2SB713, 2SB714, 2SB715, 2SB716, 2SB716A, 2SB717, 2SB718, 2SB719
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irlz24n | irf620 | irfp350 | 13003 transistor | c458 transistor | 2sc1775 | 2n1305 | 2sc5242









