Справочник транзисторов. 2SB73

 

Биполярный транзистор 2SB73 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SB73
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 10 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.002 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.8 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: TO1

 Аналоги (замена) для 2SB73

 

 

2SB73 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:166K  nec
2sb734.pdf

2SB73
2SB73

 0.2. Size:183K  nec
2sb736 2sb736 2sb736a.pdf

2SB73
2SB73

 0.3. Size:164K  nec
2sb733.pdf

2SB73
2SB73

 0.4. Size:1246K  rohm
2sb737 2sb821.pdf

2SB73
2SB73

 0.5. Size:31K  hitachi
2sb738 2sb739.pdf

2SB73
2SB73

2SB738, 2SB739Silicon PNP EpitaxialApplication Low frequency power amplifier Complementary pair with 2SD787 and 2SD788OutlineTO-92MOD1. Emitter2. Collector3. Base3212SB738, 2SB739Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol 2SB738 2SB739 UnitCollector to base voltage VCBO 20 20 VCollector to emitter voltage VCEO 16 20 VEmitter to base v

 0.6. Size:39K  no
2sb731.pdf

2SB73

 0.7. Size:1155K  kexin
2sb736a.pdf

2SB73
2SB73

SMD Type TransistorsPNP Transistors2SB736ASOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.1 Features 3 High DC current gain hFE:200(TYP) Complimentary to 2SD780A.1 2+0.050.95+0.1-0.1 0.1 -0.011.9+0.1-0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -80 Collector - Emitter

 0.8. Size:1127K  kexin
2sb736.pdf

2SB73
2SB73

SMD Type TransistorsPNP Transistors2SB736SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.1 Features 3 High DC current gain hFE:200(TYP) Complimentary to 2SD780.1 2+0.050.95+0.1-0.1 0.1 -0.011.9+0.1-0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -60 Collector - Emitter V

 0.9. Size:187K  inchange semiconductor
2sb731.pdf

2SB73
2SB73

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SB731DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage -: V = -50V(Min)CEO(SUS)Low Collector to Emitter Saturation Voltage: V = -0.6V(Max.)@I = -1ACE(sat) CDC Current Gain-: h = 135-600@I = -0.1AFE CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned fo

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N3055 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

 

 
Back to Top