Справочник транзисторов. 2SB736AR

 

Биполярный транзистор 2SB736AR - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SB736AR
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90
   Корпус транзистора: TO236

 Аналоги (замена) для 2SB736AR

 

 

2SB736AR Datasheet (PDF)

 7.1. Size:183K  nec
2sb736 2sb736 2sb736a.pdf

2SB736AR
2SB736AR

 7.2. Size:1155K  kexin
2sb736a.pdf

2SB736AR
2SB736AR

SMD Type TransistorsPNP Transistors2SB736ASOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.1 Features 3 High DC current gain hFE:200(TYP) Complimentary to 2SD780A.1 2+0.050.95+0.1-0.1 0.1 -0.011.9+0.1-0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -80 Collector - Emitter

 8.1. Size:1127K  kexin
2sb736.pdf

2SB736AR
2SB736AR

SMD Type TransistorsPNP Transistors2SB736SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.1 Features 3 High DC current gain hFE:200(TYP) Complimentary to 2SD780.1 2+0.050.95+0.1-0.1 0.1 -0.011.9+0.1-0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -60 Collector - Emitter V

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2SC2812L5

 

 
Back to Top